Патент недели: Холодные внутренности горячих чипов » E-News.su | Cамые свежие и актуальные новости Новороссии, России, Украины, Мира, политика, аналитика
ЧАТ

Патент недели: Холодные внутренности горячих чипов

15:43 / 18.08.2016
2 272
2
Патент недели: Холодные внутренности горячих чипов
При непосредственном участии Федеральной службы по интеллектуальной собственности («Роспатента») мы ввели на сайте рубрику «Патент недели». Еженедельно в России патентуются десятки интересных изобретений и усовершенствований — почему бы не рассказывать о них в числе первых.

Патент: RU 2592732
Патентообладатели: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом», Объединенный институт высоких температур Российской академии наук (ФГБУН ОИВТ РАН).

Традиционно микроканалы прокладывают в несколько этапов. Сначала на обратной стороне кремниевой платины вытравливают канавки, глубиной более 100 микрон. Потом заливают их вязким полимером, излишки состава удаляют с помощью шлифовки. Затем, кладется еще один пористый слой, а чип прогревается в азотной среде. Полимер разлагается, «вытекая» через пористый слой, который на заключительной стадии покрывают тонкой, непроницаемой полимерной пленкой.

Охлаждать чипы можно также с помощью системы полимерных трубок, соединяющих охлаждающую систему чипа с микроканалами печатной платы или углеродных нанотрубок с теплопроводностью примерно в 10 раз большей, чем у меди. Но все эти устройства — основаны на сложных системах, требуют высокой точности изготовления, использования специальных материалов или технологий.

Применение устройств наружного охлаждения не дает нужного результата по выравниванию температур в поверхностных и глубинных слоях кристаллической моноструктуры, поэтому снаружи устройства всегда переохлаждают. Но резкий перепад температур от наружных слоев к внутренним чреват напряжением и деформацией.

Новая технология специалистов «Росатома» и Объединенного институту высоких температур РАН предлагает создавать микроканалы с микронными и субмикронными диаметрами в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов. По поверхности кристалла перемещается лазерное фокальное пятно. Многоступенчатое перемещение инфракрасного фемтосекундного хром-фостерит лазера проводится с длинной волны излучения 1240 нанометра, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 сантиметр, а энергия кванта — меньше ширины запрещенной зоны.

Данный способ значительно дешевле аналогов и позволяет создавать в микрокристаллах каналы для охлаждения внутренних слоев структуры. Дополнительные подробности — в опубликованном патенте.

Популярная Механика

Новостной сайт E-News.su | E-News.pro. Используя материалы, размещайте обратную ссылку.

Оказать финансовую помощь сайту E-News.su | E-News.pro


          

Если заметили ошибку, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter (не выделяйте 1 знак)

Не забудь поделиться ссылкой

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
  1. +1
    мса1963
    Читатель | 7 883 коммент | 0 публикаций | 18 августа 2016 18:14
    Окуеть даже не слышал,тем паче приятно что в России.
    Показать
  2. +1
    Влад Крымчак
    Журналисты | 1 168 коммент | 0 публикаций | 18 августа 2016 21:16
    Офигеть... особенно вот это...
    Многоступенчатое перемещение инфракрасного фемтосекундного хром-фостерит лазера проводится с длинной волны излучения 1240 нанометра, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 сантиметр, а энергия кванта — меньше ширины запрещенной зоны.
    Так все понятно...
    Показать
Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 30 дней со дня публикации.